Procede de production de diamant semi-conducteur de type n et diamant semi-conducteur

N-type semiconductor diamond producing method and semiconductor diamond

Verfahren zur herstellung von n-halbleiterdiamant und halbleiterdiamant

Abstract

L'invention concerne un proc d de production de diamant semi-conducteur de type N, un diamant semi-conducteur de type N, un diamant semi-conducteur jonction pn, un diamant semi-conducteur jonction pnp, un diamant semi-conducteur jonction npn et une jonction pin. L'invention concerne un substrat (10) de diamant {100} monocristallin qui est trait de fa on former une surface de diamant {111}. Un diamant est d velopp de mani re pitaxiale, tandis que la surface de diamant {111} est en cours de dopage au moyen d'un dopant de type N pour former une couche (20) pitaxiale de diamant de type N. En combinant un diamant semi-conducteur de type N ainsi produit avec un diamant semi-conducteur de type p, et un diamant non dop , et en utilisant un substrat de diamant semi-conducteur {100} monocristallin, on produit un diamant semi-conducteur jonction pnp, un diamant semi-conducteur jonction npn et un diamant semi-conducteur jonction pin.
An n-type semiconductor diamond producing method, an n-type semiconductor diamond, pn-junction semiconductor diamond, a pnp-junction semiconductor diamond, an npn-junction semiconductor diamond, and a pin-junction are provided. A diamond {100} single-crystal substrate (10) is processed to form a diamond {111} surface. A diamond is epitaxially grown while the diamond {111} surface is being doped with an n-type dopant to form an n-type diamond epitaxial layer (20). Combining a thus produced n-type semiconductor diamond, a p-type semiconductor diamond, and a non-doped diamond, and using a p-type semiconductor diamond {100} single-crystal substrate, a pn-junction semiconductor diamond, a pnp-junction semiconductor diamond, an npn-junction semiconductor diamond, and a pin-junction semiconductor diamond are produced.

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